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年产内存3000万条 我国重要存储芯片项目年底投产

今年底我国又要建成一条重要的存储芯片生产线了,据报道深科技子公司合肥沛顿存储科技有限公司一期项目圆满封顶,预计年底投产,主要从事内存及闪存芯片封测。

按照建设规划,合肥沛顿存储项目将于今年9月底完成全部建设任务,10月初进驻生产设备,力争于今年年底实现投产并形成有效产能。

项目达产后,预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗,年封装NAND FLASH 3840万颗,年产内存模组3000万条的生产能力,预计可实现年营收28亿元左右。

根据深科技沛顿与国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、合肥经开产业投促创业投资基金合伙企业(有限合伙)、中电聚芯一号(天津)企业管理合伙企业(有限合伙)签署的《投资协议》,深科技沛顿存储各方股东已于2020年11月出资40000.00万元,其中深科技沛顿首期出资22352.00万元已按约定支付完毕。

各方股东将同步进行第二期出资,深科技沛顿出资148,648.00万元,其中募集资金146165.28万元,自有资金2482.72万元。

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